半导体产业龙头英特尔21日宣布与大连政府配合，将原先以65纳米工艺生产处理器芯片的中国大连厂，转型为生产最新的3D-NAND Flash芯片，总投资金额高达55亿美元，预计于明年下半年开始量产。根据TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最最新公布的数据显示，2015年整体中国市场NAND Flash总消耗量换算成产值高达66.7亿美元，占全球产值29.1%，明年更可望达到全球NAND Flash产量的三分之一，成长幅度十分惊人。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，英特尔大连厂在2010年完工，原先规划以12寸晶圆搭配65纳米工艺来生产中央处理器，但经营绩效不如预期。此次转型生产最先进的3D-NAND Flash，除了可以提升大连厂的生产绩效外，也可望搭上中国内存消耗量起飞的快速成长期，更重要的是能够配合中国政府积极投入内存产业的大趋势，可谓是双赢的布局。
根据英特尔投资金额与大连厂的产能建设来评估，DRAMeXchange初步预估每个月至少可布建30000-40000片的3D-NAND Flash。英特尔在与美光共同开发3D-NAND Flash以及3D X Point等战略合作关系更加紧密的情况下，新增的大连厂3D-NAND Flash产能将提供美光英特尔阵营更有弹性的产能规划，来满足高成长的固态硬盘需求。
杨文得进一步表示，NAND Flash市场在今年第四季到明年第一季供过于求的格局将不会产生变化，但在NAND Flash产业低迷时刻，中国政府仍积极加速推动中国本土NAND Flash与SSD供应链的布局（中国模组大厂江波龙与主控芯片厂Marvell战略合作、武汉新芯持续加速3D-NAND Flash的开发等），并加强通过与国际NAND Flash大厂串联合作的契机（三星西安厂3D-NAND Flash产能明年可望提升每个月10万片的水平），预期英特尔大连厂明年下半年完工后，中国NAND Flash市场将更为百花齐放。
